苏尔特尔挥舞着真火巨剑杀死了华纳神族最强的神弗雷，多得等变但自己也重伤发狂，胡乱挥舞真火巨剑引发了烧毁世界的大火。

以2H-MoS2为例，安心其计算的电子带隙值范围从0.88eV（块体）到1.71eV（单层）。此外，多得等变在形成的面内界面处，光诱导电子可以快速从半导体相迁移到金属相，促进光生电子和空穴的分离，并提高量子效率（图12d）。

（Ⅰ）扩展成员用于光催化的2DTMDs家族成员不断增长，安心从MoS2（MoSe2）和WS2（WSe2）开始，然后ReS2和SnS2，现在已经发展到PtS2、PtSe2，和其他。多得等变例如谁是真正的活跃场所？催化反应过程中TMDs的相位是否发生变化？电子如何在界面迁移？最先进的原位表征技术为深入实时探索这些机制和性质提供了强大的工具。总之，安心在这个迷人的领域，机遇与挑战并存。

多得等变光催化的最终追求是高效利用太阳能。同时，安心增强相变的可控性，以合成具有精确相的催化剂。

它的带隙为2.7eV，多得等变理论上可以利用10%-20%的太阳光谱。

生产的2DTMD具有单晶、安心高纯度和清洁度的特点，适用于器件应用。文献链接:C.Y.Zhang,C.Zhang,G.W.Sun,J.L.Pan,L.Gong,G.Z.Sun,J.J.Biendicho,L.Balcells,X.L.Fan,J.R.Morante,J.Y.Zhou,A.Cabot,Angew.Chem.Int.Ed.2022,61,e202211570;Angew.Chem.2022,134,e202211570.https://doi.org/10.1002/anie.202211570六、多得等变【通讯作者介绍】通讯作者：多得等变周金元（兰州大学物理科学与技术学院教授，青海师范大学物理电子学院教授）致力于先进功能纳米材料的设计合成及其在能源存储与转换器件中的应用研究，近期主要围绕以下三个研究方向开展工作：1.新颖复合微纳结构在能源存储与转换器件中的应用研究，包括储能电池以及太阳能电池等。

安心图5.磁场对电池性能的影响。多得等变图3.CoS2的自旋极化及其在LiPS转化和离子转移能力的研究。

如何去设计自旋效应，安心选哪种磁性催化剂才能得到最佳的催化效果，安心采用高通量理论计算从电子结构角度分析催化反应机制，通过机器学习来揭示自旋效应-性能之间的关系，指导催化剂设计，这是一个发展方向。多得等变图5b中显示了第一次充电过程的活化能。